EFM 3i är specifikt utvecklad för att möjliggöra lager-för-lager-tillväxt i fall där detta inte sker naturligt. Den tillåter kontrollerad evaporation av målmaterialet och samtidig generering av joner för att skapa ytterligare yttdefekter (Ion-Beam-Assisted Deposition, IBAD).

Jonerna kan genereras antingen genom en inneboende process från det evaporerade målmaterialet eller från inerta gaser med hjälp av ett integrerat gasinlopp. Jonerna fokuseras mot substratet med en elektrostatiskt lins. Denna fokuseringslins kan justera förhållandet mellan joner och neutrala partiklar inom depositionsområdet och därmed den inducerade defekttätheten.

Nyckelfunktioner:

• Evaporationsområde Ø 4–20 mm
• Fluxmonitor
• Integrerad shutter
• Gasinlopp för extra ädelgasjoner
• Jonfokuseringslins för IBAD
• Jonsuppression
• Degelkapacitet upp till ca 300 mm³
• Monteringsfläns NW 35 CF
• Alla övriga funktioner som EFM 3

Alternativt kan känsliga substrat skyddas mot jonbombardemang genom en repellerande lins-spänning (se EFM3s). Den dedikerade strömförsörjningen EVC 300i stödjer inte bara evaporationsprocessen utan även lins-spänningen och inkluderar en provströmsmätare.

På grund av joniseringsregionens speciella design är maximal degelstorlek begränsad jämfört med EFM 3.